MỚI NHẤT
CƠ QUAN CỦA TỔNG LIÊN ĐOÀN LAO ĐỘNG VIỆT NAM
Samsung ​​làm nên lịch sử với chipset GAA 3nm đầu tiên xuất xưởng. Ảnh: Samsung

Samsung tạo đột phá với chipset GAA 3nm đầu tiên xuất xưởng

Linh Chi LDO | 26/07/2022 10:31
Samsung đánh bại TSMC và bắt đầu xuất xưởng chipset GAA 3nm, trở thành hãng đầu tiên xuất xưởng chip được trang bị GAA (Gate All Around).

Samsung bắt đầu xuất xưởng các vi xử lý tiến trình 10nm vào năm 2016. Năm 2018, hãng bắt đầu sản xuất hàng loạt các chipset 7nm. Đến năm 2020, Samsung ra mắt hàng loạt chipset 5nm.

Theo Wccftech, hiện nay, Samsung đã trở thành hãng đầu tiên bắt đầu xuất xưởng chipset 3nm đánh bại đối thủ TSMC của Đài Loan.

Công ty Hàn Quốc không chỉ là tập đoàn đầu tiên cung cấp chip tiến trình 3nm mà còn là hãng đầu tiên xuất xưởng những con chip này được trang bị GAA (Gate All Around) hoặc bóng bán dẫn toàn diện.

Đặc điểm của chipset GAA 3nm 

Samsung là hãng đầu tiên bắt đầu xuất xưởng chipset GAA 3nm thay thế cho chip FinFET 5nm thế hệ trước. Ảnh chụp màn hình

GAA giúp chip có nhiều quyền kiểm soát hơn đối với dòng điện dẫn đến hiệu quả sử dụng điện năng cao hơn. TSMC vẫn đang sử dụng thiết kế bóng bán dẫn FinFET thế hệ trước cho các SoC 3nm của mình và sẽ bắt đầu xuất xưởng trong nửa cuối năm nay.

Xưởng đúc độc lập hàng đầu thế giới cũng sẽ bắt đầu sử dụng GAA với nút quy trình 2nm mà hãng hy vọng sẽ bắt đầu cung cấp cho khách hàng vào năm 2026.

Ngoài ra, nút quy trình GAA 3nm sẽ được sử dụng để sản xuất chip điện thoại thông minh bao gồm Exynos 2300 của Samsung và có thể là Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2.

Nút quy trình GAA 3nm sẽ giảm tiêu thụ điện năng tới 45% và tăng hiệu suất lên tới 23% khi so sánh với nút 5nm. Một biến thể thế hệ thứ hai của chip GAA 3nm dự kiến ​​sẽ giảm tiêu thụ năng lượng tới 50% và tăng hiệu suất lên đến 30%.

Samsung tổ chức buổi ra mắt chipset 3nm công khai "vượt mặt" TSMC

Samsung tổ chức buổi ra mắt chipset GAA 3nm. Ảnh chụp màn hình

Samsung đã tổ chức một buổi lễ tại Cơ sở Hwaseong, ở Gyeonggi-do, với sự tham dự của một số giám đốc điều hành Samsung và các chính trị gia Hàn Quốc.

Vào ngày 25.7, Samsung Electronics đã tổ chức buổi lễ xuất xưởng sản phẩm đúc 3nm sử dụng công nghệ bóng bán dẫn GAA (Gate All Around) thế hệ tiếp theo tại dây chuyền V1 (chỉ dành cho EUV) tại Khuôn viên Hwaseong, Gyeonggi-do.

Sự kiện có sự tham gia của khoảng 100 người bao gồm Bộ trưởng Bộ Thương mại, Công nghiệp và Năng lượng Changyang Lee, các nhà cung cấp, Giám đốc bộ phận Samsung Electronics DS, Kyeong-hyeon Kye (Chủ tịch), và các giám đốc điều hành cùng các nhân viên, đồng thời khuyến khích các giám đốc điều hành và nhân viên tham gia vào 3nm GAA R & D và sản xuất hàng loạt.

Lô SoC 3nm đầu tiên sẽ không được chuyển đến các nhà sản xuất điện thoại thông minh. Thay vào đó, chúng sẽ được sử dụng trong thiết bị được sử dụng bởi các "thợ đào" tiền điện tử, với GAA 3nm mới cho phép giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng.

Tin mới nhất

Gợi ý dành cho bạn